Semiconductor device with drain electrical contact forming junctions having different energy barrier heights to drain layer

WO2025188689 Art A1 12. September 2025

Anmelder: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025188689
Aktenzeichen: EP25768222
Anmeldetag: 4. März 2025
Veröffentlichung: 12. September 2025
Rechtsraum: WO
IPC: H10D30/47H10D30/01H10D62/13H10D64/64H10D64/23

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Texas Instruments

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Dallas (Texas). Entwickelt und fertigt analoge und eingebettete Halbleiterprodukte, Prozessoren sowie Schaltkreise für Industrie, Automobil- und Konsumelektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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