Semiconductor composite substrate and method for manufacturing the same

WO2025192183 Art A1 18. September 2025

Anmelder: ROHM CO., LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025192183
Aktenzeichen: EP25770031
Anmeldetag: 17. Februar 2025
Veröffentlichung: 18. September 2025
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/02C30B29/36H01L21/20H01L21/304H10D8/60H10D30/66

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: ROHM CO., LTD.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Rohm

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kyoto, spezialisiert auf integrierte Schaltkreise, diskrete Halbleiterbauelemente und Leistungshalbleiter (unter anderem Siliziumkarbid-Bauteile).

2.771 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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