Composition for forming resist underlayer film, resist underlayer film, method for forming resist pattern, and method for manufacturing semiconductor device

WO2025192572 Art A1 18. September 2025

Anmelder: NISSAN CHEMICAL CORPORATION 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025192572
Aktenzeichen: EP25769379
Anmeldetag: 11. März 2025
Veröffentlichung: 18. September 2025
Rechtsraum: WO
IPC: G03F7/11C08G8/04C08G10/02G03F7/20

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: NISSAN CHEMICAL CORPORATION
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Nissan Chemical Corporation

Japanisches Chemieunternehmen mit Sitz in Tokio, das agrochemische Wirkstoffe, elektronische Materialien sowie Feinchemikalien für die Halbleiterindustrie herstellt. Das Unternehmen wurde 1887 gegründet und hieß bis 2015 Nissan Chemical Industries.

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Fachgebiete

Kunststoff- & Polymertechnik Optik & Fototechnik

Vertreten von