Semiconductor substrate cleaning method, production method for processed semiconductor substrate, and cleaning composition
WO2025192719
Art A1
18. September 2025
Anmelder: NISSAN CHEMICAL CORPORATION 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2025192719
- Aktenzeichen
- EP25772030
- Anmeldetag
- 14. März 2025
- Veröffentlichung
- 18. September 2025
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/304
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NISSAN CHEMICAL CORPORATION
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Nissan Chemical Corporation
Japanisches Chemieunternehmen mit Sitz in Tokio, das agrochemische Wirkstoffe, elektronische Materialien sowie Feinchemikalien für die Halbleiterindustrie herstellt. Das Unternehmen wurde 1887 gegründet und hieß bis 2015 Nissan Chemical Industries.
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