Etch Stop Layer in All-In-One Harc Etch

WO2025193309 Art A1 18. September 2025

Anmelder: TOKYO ELECTRON LIMITED 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025193309
Aktenzeichen: EP25772499
Anmeldetag: 6. Januar 2025
Veröffentlichung: 18. September 2025
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/311H01L21/768H10B41/20H10B43/20H10B41/30H10B43/30

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: TOKYO ELECTRON LIMITED
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

6.255 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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