Methods of forming conformal silicon oxycarbonitride thin films on high aspect ratio semiconductor structures

WO2025193528 Art A1 18. September 2025

Anmelder: APPLIED MATERIALS, INC., NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025193528
Aktenzeichen: EP25772080
Anmeldetag: 7. März 2025
Veröffentlichung: 18. September 2025
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/02H10D84/01H10D30/01H10D30/67

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: APPLIED MATERIALS, INC.
NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Applied Materials

US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.

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🇸🇬 National University of Singapore

Staatliche Universität in Singapur, eine der größten und international bestbewerteten Hochschulen Asiens. Sie ist in Forschung und Lehre breit aufgestellt, mit starken Ingenieur- und Naturwissenschaftsfakultäten.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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