Inherently selective thermal atomic layer deposition of copper metal films

WO2025193602 Art A1 18. September 2025

Anmelder: WAYNE STATE UNIVERSITY 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025193602
Aktenzeichen: EP25772119
Anmeldetag: 10. März 2025
Veröffentlichung: 18. September 2025
Rechtsraum: WO
IPC: C23C16/06C23C16/04C23C16/18H01L21/285

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: WAYNE STATE UNIVERSITY
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Wayne State University

Die Wayne State University ist eine staatliche Universität in Detroit, Michigan, mit breiter medizinischer und naturwissenschaftlicher Forschung. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Medizintechnik und organische Chemie, ergänzt um Mess- und Prüftechnik sowie Pharma und Biotechnologie. Anmeldungen erfolgen kontinuierlich seit 2000.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von