Method for producing a ferroelectric layer, transferred onto a substrate, with polarisation of improved homogeneity

WO2025195801 Art A1 25. September 2025

Anmelder: SOITEC, UNIVERSITE DE TOURS, CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE, INSTITUT NATIONAL DES SCIENCES APPLIQUEES CENTRE V 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025195801
Aktenzeichen: EP25710466
Anmeldetag: 7. März 2025
Veröffentlichung: 25. September 2025
Rechtsraum: WO
IPC: H10N30/04H10N30/073

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: SOITEC
UNIVERSITE DE TOURS
CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE
INSTITUT NATIONAL DES SCIENCES APPLIQUEES CENTRE V
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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🇫🇷 Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)

Französische staatliche Forschungsorganisation mit Sitz in Paris. Betreibt Grundlagen- und angewandte Forschung in nahezu allen wissenschaftlichen Disziplinen über zahlreiche Institute und Labore.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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