Substrate having a graphene oxide layer, intended for transferring a layer by laser separation, and manufacturing method

WO2025195896 Art A1 25. September 2025

Anmelder: SOITEC 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025195896
Aktenzeichen: EP25711497
Anmeldetag: 13. März 2025
Veröffentlichung: 25. September 2025
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/02H01L21/18H01L21/268

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SOITEC
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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