Group iii nitride substrate, bonded substrate, semiconductor element, and method for producing group iii nitride substrate
WO2025196855
Art A1
25. September 2025
Anmelder: NGK INSULATORS, LTD. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2025196855
- Aktenzeichen
- EP24930951
- Anmeldetag
- 18. März 2024
- Veröffentlichung
- 25. September 2025
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C30B29/38C23C16/448C30B9/00H01L21/20H01L21/208H01L21/78
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NGK INSULATORS, LTD.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
NGK Insulators
Japanisches Industrieunternehmen mit Sitz in Nagoya. NGK Insulators fertigt Keramikprodukte, darunter Isolatoren, Abgaskatalysatorträger, Sensoren und Energiespeichersysteme für Energieversorgung, Automobil und Industrie.
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