Aluminum nitride sintered substrate, method for producing same, and insulating substrate for electronic circuit
WO2025197258
Art A1
25. September 2025
Anmelder: TOKUYAMA CORPORATION, DOWA METALTECH CO., LTD. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2025197258
- Aktenzeichen
- EP25773962
- Anmeldetag
- 8. Januar 2025
- Veröffentlichung
- 25. September 2025
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C04B35/581H01L23/13
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- TOKUYAMA CORPORATION
DOWA METALTECH CO., LTD. - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Tokuyama
Japanisches Chemieunternehmen mit Sitz in Shunan, gegründet 1918. Produziert unter anderem Spezialchemikalien, Zement und Halbleitermaterialien.
1.073 Patente in unserer Datenbank
Vertreten von
Kein Vertreter erfasst.