Method for manufacturing semiconductor substrate, composition for forming resist underlayer film, and method for producing nitrogen-containing compound

WO2025197551 Art A1 25. September 2025

Anmelder: JSR CORPORATION 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025197551
Aktenzeichen: EP25773742
Anmeldetag: 5. März 2025
Veröffentlichung: 25. September 2025
Rechtsraum: WO
IPC: G03F7/11C07D239/74C07D239/82C07D413/14G03F7/26

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: JSR CORPORATION
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 JSR Corporation

JSR Corporation ist ein japanisches Chemieunternehmen, das synthetische Kautschuke sowie Materialien für die Halbleiter- und Displayindustrie herstellt.

2.270 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Optik & Fototechnik Organische Chemie

Vertreten von