Manufacturing method for nitride semiconductor multilayer reflector, vertical cavity surface emitting laser wafer, and vertical cavity surface emitting laser
WO2025197976
Art A1
25. September 2025
Anmelder: STANLEY ELECTRIC CO., LTD. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2025197976
- Aktenzeichen
- EP25774127
- Anmeldetag
- 19. März 2025
- Veröffentlichung
- 25. September 2025
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01S5/183H01S5/343
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- STANLEY ELECTRIC CO., LTD.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Stanley Electric
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