Nitrogen atom-containing substrate coating agent composition, resist underlayer film, layered product, method for forming resist pattern, and method for producing semiconductor device
WO2025198003
Art A1
25. September 2025
Anmelder: NISSAN CHEMICAL CORPORATION 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2025198003
- Aktenzeichen
- EP25774364
- Anmeldetag
- 21. März 2025
- Veröffentlichung
- 25. September 2025
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- G03F7/11C08G12/08G03F7/20
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NISSAN CHEMICAL CORPORATION
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Nissan Chemical Corporation
Japanisches Chemieunternehmen mit Sitz in Tokio, das agrochemische Wirkstoffe, elektronische Materialien sowie Feinchemikalien für die Halbleiterindustrie herstellt. Das Unternehmen wurde 1887 gegründet und hieß bis 2015 Nissan Chemical Industries.
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