Composition for forming resist underlayer film, resist underlayer film, method for forming resist pattern, and method for manufacturing semiconductor device

WO2025198013 Art A1 25. September 2025

Anmelder: NISSAN CHEMICAL CORPORATION 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025198013
Aktenzeichen: EP25774495
Anmeldetag: 21. März 2025
Veröffentlichung: 25. September 2025
Rechtsraum: WO
IPC: G03F7/11C08G8/20G03F7/004G03F7/20

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: NISSAN CHEMICAL CORPORATION
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Nissan Chemical Corporation

Japanisches Chemieunternehmen mit Sitz in Tokio, das agrochemische Wirkstoffe, elektronische Materialien sowie Feinchemikalien für die Halbleiterindustrie herstellt. Das Unternehmen wurde 1887 gegründet und hieß bis 2015 Nissan Chemical Industries.

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Fachgebiete

Kunststoff- & Polymertechnik Optik & Fototechnik

Vertreten von