Method for patterning for chemical mechanical polishing (cmp) iso-dense bias compensation using z-height
WO2025198746
Art A1
25. September 2025
Anmelder: TOKYO ELECTRON LIMITED 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2025198746
- Aktenzeichen
- EP25774647
- Anmeldetag
- 12. Februar 2025
- Veröffentlichung
- 25. September 2025
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/768H01L21/321H01L21/67H01L23/532
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- TOKYO ELECTRON LIMITED
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Tokyo Electron
Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.
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