Semiconductor device and method of forming the same

WO2025199809 Art A1 2. Oktober 2025

Anmelder: YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025199809
Aktenzeichen: EP24730542
Anmeldetag: 27. März 2024
Veröffentlichung: 2. Oktober 2025
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/768H10D64/23H01L21/764H10D48/00H10D30/60H10B12/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Yangtze Memory Technologies

Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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