Strained Ohmic Contact High Electron Mobility Transistor

WO2025202755 Art A1 2. Oktober 2025

Anmelder: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025202755
Aktenzeichen: EP25709773
Anmeldetag: 19. Februar 2025
Veröffentlichung: 2. Oktober 2025
Rechtsraum: WO
IPC: H10D30/01H10D30/47H10D30/69H10D62/10H10D62/13H10D62/824H10D64/60

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 IBM

US-amerikanischer Technologiekonzern mit Sitz in Armonk, New York. International Business Machines entwickelt Hardware, Software, Cloud-Dienste sowie Lösungen für künstliche Intelligenz, Halbleiter und Unternehmens-IT.

12.088 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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