Power semiconductor device and method for manufacturing power semiconductor device
WO2025203906
Art A1
2. Oktober 2025
Anmelder: MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2025203906
- Aktenzeichen
- EP24932072
- Anmeldetag
- 10. Dezember 2024
- Veröffentlichung
- 2. Oktober 2025
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L25/07H01L23/29H01L23/31H05K1/02H05K1/14
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Mitsubishi Electric
Japanisches Unternehmen, das Elektro- und Elektroniktechnik entwickelt und herstellt, darunter Automatisierung, Energie-, Klima- und Fahrzeugtechnik.
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