Composition for forming resist underlayer film, resist underlayer film, method for forming resist pattern, and method for manufacturing semiconductor device

WO2025205630 Art A1 2. Oktober 2025

Anmelder: NISSAN CHEMICAL CORPORATION 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025205630
Aktenzeichen: EP25777807
Anmeldetag: 24. März 2025
Veröffentlichung: 2. Oktober 2025
Rechtsraum: WO
IPC: G03F7/11G03F7/26G03F7/40

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: NISSAN CHEMICAL CORPORATION
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Nissan Chemical Corporation

Japanisches Chemieunternehmen mit Sitz in Tokio, das agrochemische Wirkstoffe, elektronische Materialien sowie Feinchemikalien für die Halbleiterindustrie herstellt. Das Unternehmen wurde 1887 gegründet und hieß bis 2015 Nissan Chemical Industries.

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Fachgebiete

Optik & Fototechnik

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