Ferroelectric tunnel junction element and memory device including same

WO2025206485 Art A1 2. Oktober 2025

Anmelder: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025206485
Aktenzeichen: EP24932014
Anmeldetag: 10. September 2024
Veröffentlichung: 2. Oktober 2025
Rechtsraum: WO
IPC: H10N97/00H10B53/30H10B53/20

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION
Land: 🇰🇷 Südkorea

🇰🇷 Seoul National University R&DB Foundation

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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