Three-dimensional monolithic complementary transistor using channel all around structure

WO2025206717 Art A1 2. Oktober 2025

Anmelder: INDUSTRY-UNIVERSITY COOPERATION FOUNDATION HANYANG, RESEARCH&BUSINESS FOUNDATION SUNGKYUNKWAN UNIVERSI 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025206717
Aktenzeichen: EP25776730
Anmeldetag: 25. März 2025
Veröffentlichung: 2. Oktober 2025
Rechtsraum: WO
IPC: H10D84/85H10D30/67

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen: INDUSTRY-UNIVERSITY COOPERATION FOUNDATION HANYANG
RESEARCH&BUSINESS FOUNDATION SUNGKYUNKWAN UNIVERSI
Land: 🇰🇷 Südkorea

🇰🇷 Industry-University Cooperation Foundation Hanyang

Die Industry-University Cooperation Foundation Hanyang ist die Forschungstransferstelle der Hanyang University in Südkorea. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Medizintechnik, ergänzt um Mess- und Prüftechnik und Software. Anmeldungen laufen von 2011 bis in die Gegenwart.

345 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von