Precursor for forming low-dielectric constant silicon-containing thin film and method for forming low-dielectric constant silicon-containing thin film by using same
WO2025206883
Art A1
2. Oktober 2025
Anmelder: SK TRI CHEM CO., LTD., SK HYNIX INC. 🇰🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2025206883
- Aktenzeichen
- EP25775332
- Anmeldetag
- 25. März 2025
- Veröffentlichung
- 2. Oktober 2025
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C07F7/18C23C16/455C23C16/40C23C16/50
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- SK TRI CHEM CO., LTD.
SK HYNIX INC. - Land
- 🇰🇷 Südkorea
🇰🇷
SK hynix
Südkoreanischer Halbleiterhersteller, der Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash für Computer, Server und mobile Geräte produziert.
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