Selective etching of silicon adjacent to silicon-germanium

WO2025207176 Art A1 2. Oktober 2025

Anmelder: TOKYO ELECTRON LIMITED 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025207176
Aktenzeichen: EP25778191
Anmeldetag: 7. Januar 2025
Veröffentlichung: 2. Oktober 2025
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/306H01L21/02H10D30/00H01L21/3065H10D30/67H10D62/60

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: TOKYO ELECTRON LIMITED
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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