Low-temperature etchant-free selective epitaxy of n-type doped silicon

WO2025207267 Art A1 2. Oktober 2025

Anmelder: APPLIED MATERIALS, INC. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025207267
Aktenzeichen: EP25778806
Anmeldetag: 27. Februar 2025
Veröffentlichung: 2. Oktober 2025
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/02C30B25/16C30B29/06C30B25/04C30B25/18

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: APPLIED MATERIALS, INC.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Applied Materials

US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von