Memory and access control method therefor, and electronic device

WO2025208845 Art A1 9. Oktober 2025

Anmelder: BEIJING SUPERSTRING ACADEMY OF MEMORY TECHNOLOGY, CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025208845
Aktenzeichen: EP24933771
Anmeldetag: 24. Oktober 2024
Veröffentlichung: 9. Oktober 2025
Rechtsraum: WO
IPC: G11C16/04G11C16/24G11C16/10G11C16/26

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen: BEIJING SUPERSTRING ACADEMY OF MEMORY TECHNOLOGY
CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Beijing Superstring Academy of Memory Technology

Die Beijing Superstring Academy of Memory Technology ist eine 2020 gegründete chinesische Forschungseinrichtung mit Sitz in Peking, die neue Speicherzellarchitekturen für zukünftige DRAM-Technologien entwickelt. Das Patentportfolio konzentriert sich nahezu vollständig auf Halbleiter- und elektrische Bauelemente sowie Datenspeichertechnik. Die noch junge Patenttätigkeit stammt aus den Jahren 2021 bis 2025.

255 Patente in unserer Datenbank

🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

2.637 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung

Vertreten von