Method for preparing a composite structure for producing a homoepitaxial silicon carbide layer, and associated composite structure

WO2025209781 Art A1 9. Oktober 2025

Anmelder: SOITEC 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025209781
Aktenzeichen: EP25710877
Anmeldetag: 11. März 2025
Veröffentlichung: 9. Oktober 2025
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/02H01L21/20

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SOITEC
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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