Semiconductor substrate production method and composition for forming resist underlayer film

WO2025211358 Art A1 9. Oktober 2025

Anmelder: JSR CORPORATION 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025211358
Aktenzeichen: EP25781971
Anmeldetag: 1. April 2025
Veröffentlichung: 9. Oktober 2025
Rechtsraum: WO
IPC: G03F7/11C07D215/14C07D215/20C07D215/22C07D215/50C08G14/073

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: JSR CORPORATION
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 JSR Corporation

JSR Corporation ist ein japanisches Chemieunternehmen, das synthetische Kautschuke sowie Materialien für die Halbleiter- und Displayindustrie herstellt.

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Fachgebiete

Kunststoff- & Polymertechnik Optik & Fototechnik Organische Chemie

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