Transistor contact structure with upper level insulating spacer and method of making the same

WO2025212147 Art A1 9. Oktober 2025

Anmelder: SANDISK TECHNOLOGIES, INC. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025212147
Aktenzeichen: EP25782958
Anmeldetag: 10. Januar 2025
Veröffentlichung: 9. Oktober 2025
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/768H01L23/522H10D62/13

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SANDISK TECHNOLOGIES, INC.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 SanDisk

US-amerikanischer Hersteller von Flash-Speicherprodukten wie SSDs, Speicherkarten und USB-Sticks. Das Unternehmen war zeitweise Teil von Western Digital und agiert seit 2025 wieder eigenständig.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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