Method of making silicide in high-aspect ratio structures by h-radical assisted processes

WO2025212435 Art A1 9. Oktober 2025

Anmelder: APPLIED MATERIALS, INC. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025212435
Aktenzeichen: EP25782660
Anmeldetag: 28. März 2025
Veröffentlichung: 9. Oktober 2025
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/285H01L21/02H01L21/321H10B12/00H10B41/27H10B43/27

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: APPLIED MATERIALS, INC.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Applied Materials

US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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