Dual-stage schottky barrier and method

WO2025212450 Art A1 9. Oktober 2025

Anmelder: RAYTHEON COMPANY 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025212450
Aktenzeichen: EP25721987
Anmeldetag: 28. März 2025
Veröffentlichung: 9. Oktober 2025
Rechtsraum: WO
IPC: H10D64/27H10D64/64H10D30/47H10D62/85

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: RAYTHEON COMPANY
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Raytheon Company

US-amerikanisches Rüstungs- und Technologieunternehmen mit Sitz in Massachusetts, heute Teil von RTX Corporation. Entwickelt Verteidigungssysteme, Radartechnik, Flugabwehr, Sensorik und Luftfahrtelektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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