Method for measuring the thickness of a superficial layer of an soi substrate

WO2025214621 Art A1 16. Oktober 2025

Anmelder: SOITEC 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025214621
Aktenzeichen: EP24817874
Anmeldetag: 28. November 2024
Veröffentlichung: 16. Oktober 2025
Rechtsraum: WO
IPC: G01B11/06H01L21/66

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SOITEC
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik

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