Oxide single crystal composite substrate and method for manufacturing same
WO2025215946
Art A1
16. Oktober 2025
Anmelder: SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2025215946
- Aktenzeichen
- EP25786609
- Anmeldetag
- 17. Februar 2025
- Veröffentlichung
- 16. Oktober 2025
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/02C23C14/06C23C14/10C23C16/42C30B29/30C30B33/06H10N30/40H10N30/086H10N30/88H10N30/853
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Shin-Etsu Chemical
Japanisches Chemieunternehmen mit Sitz in Tokio. Shin-Etsu Chemical stellt Siliziumwafer für Halbleiter, Silikonprodukte, PVC und weitere Spezialchemikalien für Elektronik-, Bau- und Industrieanwendungen her.
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