Defect evaluation method for semiconductor silicon wafer

WO2025215948 Art A1 16. Oktober 2025

Anmelder: SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2025215948
Aktenzeichen
EP25786611
Anmeldetag
18. Februar 2025
Veröffentlichung
16. Oktober 2025
Rechtsraum
WO
IPC
H01L21/66G01N21/956
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Shin-Etsu Handotai

Japanisches Unternehmen der Shin-Etsu-Gruppe, das Siliziumwafer für die Halbleiterindustrie herstellt.

1.180 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik

Vertreten von

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