Bias circuit for cascode fet amplifier with variable drain bias

WO2025216798 Art A1 16. Oktober 2025

Anmelder: RAYTHEON COMPANY 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025216798
Aktenzeichen: EP25710220
Anmeldetag: 10. Februar 2025
Veröffentlichung: 16. Oktober 2025
Rechtsraum: WO
IPC: H03F1/22H03F1/30H03F3/193

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: RAYTHEON COMPANY
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Raytheon Company

US-amerikanisches Rüstungs- und Technologieunternehmen mit Sitz in Massachusetts, heute Teil von RTX Corporation. Entwickelt Verteidigungssysteme, Radartechnik, Flugabwehr, Sensorik und Luftfahrtelektronik.

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Fachgebiete

Elektronik & Schaltungstechnik

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