Method of low-temperature n-type selective silicon epitaxy

WO2025216831 Art A1 16. Oktober 2025

Anmelder: APPLIED MATERIALS, INC. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025216831
Aktenzeichen: EP25786774
Anmeldetag: 12. März 2025
Veröffentlichung: 16. Oktober 2025
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/02H01L21/28H01L21/311H01L21/67C23C16/44H10D84/01H10D84/85

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: APPLIED MATERIALS, INC.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Applied Materials

US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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