Semiconductor devices, systems, and methods for forming the same
WO2025217827
Art A1
23. Oktober 2025
Anmelder: YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2025217827
- Aktenzeichen
- EP24730867
- Anmeldetag
- 17. April 2024
- Veröffentlichung
- 23. Oktober 2025
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H10B12/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Yangtze Memory Technologies
Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.
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Fachgebiete
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