Method for fabricating semiconductor device, bonding material and carrier used in method for fabricating semiconductor device, and semiconductor device

WO2025220084 Art A1 23. Oktober 2025

Anmelder: RESONAC CORPORATION 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025220084
Aktenzeichen: EP24935999
Anmeldetag: 15. April 2024
Veröffentlichung: 23. Oktober 2025
Rechtsraum: WO
IPC: H01L23/28H01L21/56

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: RESONAC CORPORATION
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Resonac

Japanischer Chemiekonzern mit Sitz in Tokio, hervorgegangen aus Showa Denko. Das Unternehmen stellt unter anderem Halbleitermaterialien, Elektronikchemikalien und funktionale Chemieprodukte her.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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