Method for producing semiconductor wafer

WO2025220588 Art A1 23. Oktober 2025

Anmelder: SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025220588
Aktenzeichen: EP25789640
Anmeldetag: 10. April 2025
Veröffentlichung: 23. Oktober 2025
Rechtsraum: WO
IPC: C30B29/06C23C16/24C23C16/56C30B29/04H01L21/205

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Shin-Etsu Handotai

Japanisches Unternehmen der Shin-Etsu-Gruppe, das Siliziumwafer für die Halbleiterindustrie herstellt.

1.180 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von

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