Method for isolating vertical conductive lines in high aspect ratio features
WO2025221490
Art A1
23. Oktober 2025
Anmelder: LAM RESEARCH CORPORATION 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2025221490
- Aktenzeichen
- EP25790295
- Anmeldetag
- 7. April 2025
- Veröffentlichung
- 23. Oktober 2025
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H10B12/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- LAM RESEARCH CORPORATION
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Lam Research
US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.
2.725 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Kein Vertreter erfasst.