Semiconductor devices and fabricating methods thereof
WO2025222315
Art A1
30. Oktober 2025
Anmelder: YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2025222315
- Aktenzeichen
- EP24728457
- Anmeldetag
- 22. April 2024
- Veröffentlichung
- 30. Oktober 2025
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H10B12/00H10B53/20
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Yangtze Memory Technologies
Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.
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Vertreten von
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