Lattice-matched oxide layer as tunnel barrier for perpendicularly magnetized heusler compounds

WO2025223814 Art A1 30. Oktober 2025

Anmelder: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION, SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD: 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025223814
Aktenzeichen: EP25719290
Anmeldetag: 7. April 2025
Veröffentlichung: 30. Oktober 2025
Rechtsraum: WO
IPC: H10N50/10H10N50/85H10B61/00

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION
SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD:
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 IBM

US-amerikanischer Technologiekonzern mit Sitz in Armonk, New York. International Business Machines entwickelt Hardware, Software, Cloud-Dienste sowie Lösungen für künstliche Intelligenz, Halbleiter und Unternehmens-IT.

12.088 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von