Method for producing sige substrate and sige substrate

WO2025225297 Art A1 30. Oktober 2025

Anmelder: SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025225297
Aktenzeichen: EP25794103
Anmeldetag: 1. April 2025
Veröffentlichung: 30. Oktober 2025
Rechtsraum: WO
IPC: C30B29/52C23C16/42C30B25/18H01L21/205

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Shin-Etsu Handotai

Japanisches Unternehmen der Shin-Etsu-Gruppe, das Siliziumwafer für die Halbleiterindustrie herstellt.

1.180 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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