Ge-containing substrate, and method for manufacturing ge-containing substrate

WO2025225316 Art A1 30. Oktober 2025

Anmelder: SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025225316
Aktenzeichen: EP25794056
Anmeldetag: 3. April 2025
Veröffentlichung: 30. Oktober 2025
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/20C30B25/02C30B29/10H01L21/205H10D30/60

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Shin-Etsu Handotai

Japanisches Unternehmen der Shin-Etsu-Gruppe, das Siliziumwafer für die Halbleiterindustrie herstellt.

1.180 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von

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