Method including an ion beam implant and stressed film for separating a substrate film region from a bulk substrate region
WO2025226300
Art A1
30. Oktober 2025
Anmelder: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2025226300
- Aktenzeichen
- EP24802109
- Anmeldetag
- 23. Oktober 2024
- Veröffentlichung
- 30. Oktober 2025
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/78H01L21/683H01L21/762
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Microchip Technology
US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Chandler, Arizona, bekannt für Mikrocontroller und analoge Halbleiterbauelemente.
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