Dual silicide contacts enabled with ion implantation
WO2025226982
Art A1
30. Oktober 2025
Anmelder: ENTEGRIS, INC. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2025226982
- Aktenzeichen
- EP25795282
- Anmeldetag
- 24. April 2025
- Veröffentlichung
- 30. Oktober 2025
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H10D84/01H10D62/00H10D84/85H01L21/768
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- ENTEGRIS, INC.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Entegris
US-amerikanischer Hersteller von Spezialmaterialien und Filtrationslösungen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Massachusetts.
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Fachgebiete
Vertreten von
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