Method for fabricating semiconductor device, and interconnection substrate

WO2025229707 Art A1 6. November 2025

Anmelder: RESONAC CORPORATION 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025229707
Aktenzeichen: EP24937960
Anmeldetag: 30. April 2024
Veröffentlichung: 6. November 2025
Rechtsraum: WO
IPC: H01L23/12

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: RESONAC CORPORATION
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Resonac

Japanischer Chemiekonzern mit Sitz in Tokio, hervorgegangen aus Showa Denko. Das Unternehmen stellt unter anderem Halbleitermaterialien, Elektronikchemikalien und funktionale Chemieprodukte her.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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