Semiconductor devices with oxidized layer segments in device regions
WO2025230575
Art A1
6. November 2025
Anmelder: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2025230575
- Aktenzeichen
- EP24834915
- Anmeldetag
- 5. Dezember 2024
- Veröffentlichung
- 6. November 2025
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H10D30/01H01L21/02H01L21/322H01L23/31H10D30/47H10D64/68
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Texas Instruments
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Dallas (Texas). Entwickelt und fertigt analoge und eingebettete Halbleiterprodukte, Prozessoren sowie Schaltkreise für Industrie, Automobil- und Konsumelektronik.
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