Ldmos Nanosheet Transistor Including A Nanosheet Drift Region Field Plate

WO2025231061 Art A1 6. November 2025

Anmelder: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025231061
Aktenzeichen: EP25728909
Anmeldetag: 30. April 2025
Veröffentlichung: 6. November 2025
Rechtsraum: WO
IPC: H10D62/10H10D30/01H10D30/65H10D64/00B82Y10/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Texas Instruments

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Dallas (Texas). Entwickelt und fertigt analoge und eingebettete Halbleiterprodukte, Prozessoren sowie Schaltkreise für Industrie, Automobil- und Konsumelektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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