Mold stack for high aspect ratio plasma etching

WO2025231084 Art A1 6. November 2025

Anmelder: LAM RESEARCH CORPORATION 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025231084
Aktenzeichen: EP25798614
Anmeldetag: 30. April 2025
Veröffentlichung: 6. November 2025
Rechtsraum: WO
IPC: H10D1/00H10D1/68H01L21/311H01L21/02

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: LAM RESEARCH CORPORATION
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

2.725 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von